GaP/metal Schottky diyotunun hazırlanması ve elektronik özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada LEC tekniği ile hazırlanan Galyum Fosfat (GaP) ince filminin optik ve elektriksel özellikleri incelendi. Numunenin optiksel özellikleri soğurma ve transmitans ölçümleri elde edilerek araştırıldı. Bu ölçümlerden GaP ince filminin yasak enerji aralığı 2,24 eV olarak elde edildi. Kırılma indisi - dalga boyu değişimi ve titreşim enerjisi incelendi. Daha sonra yarıiletken tabakanın bir yüzü Alüminyum (Al) kaplandı ve omik kontak hazırlandı. Yarıiletkenin diğer yüzüne ise Gümüş metali buharlaştırıldı ve Schottky kontak hazırlandı. Elde edilen Ag/GaP/Al kontağının I-V ve C-V ölçümleri incelendi. I-V ve C-V grafikleri çizildi. Bu grafikler yardımı ile Schottky Diyotunun idealite faktörü (n), engel yüksekliği ( ? B), seri direnci (RS) ve boşluk yoğunluğu (Nd) hesaplandı.Anahtar kelimeler: Yarıiletken, Yasak enerji aralığı, Optik özellikler, Schottky diyot.