Gap yarıiletkeni ile hazırlanan metal-yarıiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada, (100) yönelimli, 300?m kalınlığında, 1x1018cm-3 taşıyıcı yoğunluğuna sahip n-tipi GaP yarıiletken üzerine metal buharlaştırma metodu ile Au/n-GaP yapılar oluşturuldu. Bu yapıların temel bazı elektriksel parametreleri 80-380K sıcaklık aralığında incelendi. Hazırlanan bu yapıların 80K-380K sıcaklık aralığında yapılan akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden; idealite faktörü n, Schottky engel yüksekliği ?B ve diğer bazı diyot parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği 0.785 eV, idealite faktörü ise 1.47 olarak bulundu. Sıcaklık artışıyla idealite faktörünün azaldığı, engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. I-V ölçümlerinden ara yüzey durum yoğunluğu değerleri hesaplandı ve sıcaklığa bağlı olarak azaldığı görüldü. Oda sıcaklığında 5 kHz - 400 kHz aralığında frekansa bağlı sığa-gerilim (C-V) karakteristikleri, 1 MHz frekansta ise sıcaklığa bağlı sığa-gerilim (C-V) özellikleri incelendi. 1/C²-V grafiği kullanılarak; difüzyon potansiyeli VD, engel yüksekliği ?B, verici atomların yoğunluğu ND, tüketim tabakası genişliği WD veyalıtkan tabaka kalınlığı ? hesaplandı. Oda sıcaklığında engel yüksekliği C-V ölçümlerinden 1.02 eV olarak bulundu.