Ge(100) yüzey faz geçişlerine kusurların etkisi

Bu çalışmada, Ge(100) %0, %1 ve %2 kusurlu yüzeylerin kritik davranışı Ising modeli temel alan Creutz Cellular Automaton soğutma algoritması ile incelenmiştir. Hesaplamalar, periyodik sınır koşulları göz önüne alınarak, Lx×Ly=30×300, 60×600, 90×900 ve 120×1200 kenar uzunluklu dikdörtgen örgüler kullanılarak yapılmıştır. İncelemeler, deneysel STM yüzey görüntüleri ile dimer yönelimlerinin uyumlu olduğu bir ? oranı ile ayrılması gerektiğini göstermiştir. Sonsuz örgü kritik sıcaklık değerleri kusurlar için elde edilmiş, deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Son olarak, %2 kusurlu yüzeyler, deneysel STM yüzey resimleri ile iyi bir uyum içinde olduğu gösterilmiştir.Anahtar Kelimeler : Ge(100) yüzeyi, Cellular Automaton, Ising Model, Yüzey yapılanmaları, c(4×2)?2×1 faz geçişi, c(4×2) yüzey yapılanması, 2×1 yüzey yapılanması, p(2×2) yüzey yapılanması, kritik davranış.