GeI2, Re2C, La-Bi ve Ln2O3 (Ln=Sc, Y, La-Lu) bileşiklerinin yapısal, elektronik, mekanik ve titreşimsel özelliklerinin Ab initio yöntemlerle incelenmesi

Bu çalışmada GeI2, Re2C, La-Bi (La2Bi, LaBi2, La4Bi3, La5Bi3) ve Ln2O3 (Ln=Sc, Y, La-Lu) bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik ve titreşimsel özelikleri LDA ve/veya GGA yaklaşımlarından biri kullanılarak yoğunluk fonksiyoneli teorisine (DFT) dayalı ab-initio metotlarla hesaplandı. GeI2 bileşiği C6, C19, C35, C22, C23 ve C1, Re2C bileşiği ReB2, La-Bi bileşikleri La2Sb, HfGa2, anti-Th3P4 ve Mn5Si3, ve lântanit sesquioksitler ise A, B, C-tipi yapılarda incelendi. Spesifik olarak, incelenen bileşiklerin örgü parametreleri, olası faz geçiş basınçları, bant yapıları, elastik sabitleri, kayma modülü, Young modülü ve Poison oranı, anizotopi katsayıları gibi bazı temel fiziksel parametreleri hesaplandı. Ayrıca, bazı bileşiklerin fonon dispersiyon eğrileri ve fonon durum yoğunlukları hesaplandı. Elde edilen bulgular mevcut deneysel ve teorik değerlerle karşılaştırıldı. Kullanılan yöntemin incelenen bileşiklerin fiziksel özelliklerini belirlemede doğru sonuçlar verdiği görüldü.