Grafen esaslı fotodedektörlerin üretilmesi ve elektriksel özelliklerinin karakterizasyonu

Bu tez`de, grafen oksit katkılı methylene blue (MB+GO) kompozit malzemeleri hazırlandı. İlk olarak Hummer`s metodu ile grafen oksit sentezlendi. MB+GO/p-Si Schottky diyot tabanlı fotodedektörler hazırlandı. Fotodedektörlerin elektriksel ve fototepki özellikleri kapasitans-iletkenlik-gerilim ve akım-gerilim ölçümleri ile araştırıldı. Fotodedektörlerin bariyer yüksekliği, idealite faktörü ve fototepki parametreleri belirlendi. Hazırlanan fotodedektörlerin fototepki özellikleri grafen oksit katkısı ile geliştirildi. Fotodedektörlerin fotoakımının karanlık akıma oranı (NPDR) olan en önemli performans belirleyici parametresi hazırlanan diyotlar için hesaplandı ve en yüksek değer 0.05 GO katkı oranı için 4.9x10-2 A/W olarak bulundu. Elde edilen sonuçlar MB+GO film/p-Si fotodedektörlerin optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceğini göstermektedir. Anahtar Kelimeler: Grafen, Grafen oksit, Fotodedektör, Organik yarıiletken