Graphene based high frequency electronics

Geniş alanlı alttaşlar üzerine kimyasal buhardan biriktirme tekniği ile elde edilir olmasınedeniyle son gelişmeler Grafin'in makroelektronik gibi alışalagelmedik elektronikuygulamalarındaki araştırmaları gözle görülür biçimde hareketlendirdi. Bu çalışmanınöncelikli amacı tek tabakalı Grafin'in yüksek frekans elektroniğinde kullanılmasıdır. Bu tezradio frekans elektroniğinde kullanılacak Grafin transistörlerin kuramsal ve deneyselçalışmasını içermektedir. Geniş alanlı bakır alttaşlar üzerinde kimyasal buhar biriktirmetekniğiyle Grafin tabakası büyütüldü. Daha sonra bu tabakaları, Grafin transistör yapmaküzere dielektrik yüzeylere aktardık. Tezin kuramsal bölümü Grafin transistörün yüksekfrekans elektroniğindeki performans limitlerini anlamak üzerine yoğunlaşmıştır. Bubölümde,?Kendi içerisinde tutarlı? bir taşınım teorisi kullanılarak Grafin tabanlı alan etkilitransistörlerin kendine özgü yüksek frekans başarımları incelendi. ?Kendi içerisinde tutarlı?taşınım modeli, alttaş yüzeyinde oluşan yük safsızlığı saçılması tarafından belirlenen,evrensel nitelikte olmayan yaygın taşınım modeli ile açıklanır. Grafin tabanlı alan etkilitransistörlerin çıkış ve transfer karakteristikleri, giriş yalıtkanının safsızlıkkonsantrasyonunun ve dielekrik sabitinin bir fonksiyonu olarak karakterize edildi. Yukarıdagörülen deneysel ve teorik çalışmalar Grafin tabanlı radyo frekansı elektroniği alanındakiaraştırmamızın temelini oluşturmuştur.