Sn katkılı Al/ZnS/p-Si yapıların büyütülmesi ve karakterizasyonu

Bu çalışmada katkısız ve Sn (kalay) katkılı ZnS (çinko sülfür) çözeltileri sol-jel yöntemi kullanılarak cam ve p-tipi Si (silisyum) üzerine kaplanmıştır. Sn katkı miktarı %0-%10 arasında değiştirildi. Filmler cam üzerine 15 kat, kristal üzerine ise 6 kat kaplanmıştır. Cam üzerine kaplanan ince filmlerin UV-vis-NIR ölçümlerinden yararlanılarak malzemelerin kalınlık d, yasak enerji aralığı Eg ve kırılma indisi n gibi optiksel parametreleri incelenmiştir. XRD spektrumu yardımıyla malzemelerin kristal yapısı belirlenmiştir. Elde edilen sonuçlara göre hem cam hem de kristal üzerine büyütülen filmlerin kübik yapıda kristallendiği görülmüştür. Oda sıcaklığında ve karanlıkta katkılı ve katkısız ZnS/p-Si yapıların akım-voltaj I-V ölçümleri alınmış ve bu ölçümler yardımıyla numunelerin diyot özellikleri incelenmiştir. Termoiyonik emisyon (TE), Norde, Lien ve Cehung-Cehung yöntemleri kullanılarak ideallik faktörü n, bariyer yüksekliği ϕb ve seri direnç değeri Rs gibi diyot parametreleri hesaplanmıştır. Ayrıca 10kHz-1.5MHz frekans aralığında katkılı ve katkısız ZnS/p-Si yapılasın kapasitans-voltaj C-V ölçümleri alınmış ve bu ölçümler kullanılarak diyot parametreleri detaylı olarak belirlenmiştir. Ayrıca, numunelerin fotodiyot özelliklerini incelemek için 100mW/cm2 ışık şiddeti altında, katkılı ve katkısız ZnS/p-Si yapıların aydınlık I-V ölçümleri alınmıştır.