Yüksek LisansAçık Erişim

HfX (X=Rh, Ru, Tc) bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik ve titreşim özelliklerinin Ab-Initio yöntemi ile incelenmesi

2017
0 görüntülenme
0 i̇ndirme
Danışman: Doç. Dr. Nihat Arıkan

Özet (TR)

Sezyum klorür fazındaki HfX'in (X = Rh, Ru ve Tc) yapısal, elektronik, elastik ve fonon özellikleri genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA) içerisinde yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT) kullanılarak araştırılmıştır. Optimize edilmiş örgü sabiti (a0), bulk modülü (B) ve elastik sabitler (Cij) değerlendirilmiş olup sonuçları ise literatürdeki mevcut deneysel ve teorik verilerle iyi bir uyum içerisindedir. Söz konusu bileşiklerin elektronik bant yapıları ve durum yoğunlukları çizilmiştir. Bant yapısı hesaplamalarından CsCl-fazındaki, HfX (X = Rh, Ru ve Tc) bileşiklerinin metalik özellik gösterdiği sonucuna varılmışdır. Fonon dispersiyon eğrileri ve bunlara karşılık gelen toplam ve kısmi durum yoğunlukları direkt yöntem kullanılarak ilk defa bu çalışmada elde edilmiştir. Fonon sonuçları, bu bileşiklerin sezyum-klorür fazında dinamik olarak kararlı olduğunu göstermektedir.

Yazar

Dr. Murat Ünsal

Bu Yayına Nasıl Atıf Yapılır

Murat Ünsal (Yüksek Lisans Tezi). HfX (X=Rh, Ru, Tc) bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik ve titreşim özelliklerinin Ab-Initio yöntemi ile incelenmesi, 2017, Ahi Evran University.

Anahtar Kelimeler

Lisans

Tüm Hakları Saklıdır

Bu eser belirtilen lisans koşulları altında paylaşılmaktadır.

Ahi Evran University tezlerinden daha fazlası