III-V grubu yarıiletken bileşiklerin raman özellikleri
Bu tez size mi ait?
Bu kayıt toplu arşivden geldi. Sizinse profilinize bağlayın.
Özet (TR)
x+y » 47%)'a uygun-örgü In1-x-yGaxAlyAs dörtlüBu çalışmada, InP (ilealaşımlardaki boyuna optiksel fononların Raman saçılması incelendi. Dörtlüalaşım numuneler moleküler demet büyültme (MBE) ile (001) InP alttaşlarüzerine tabakalar halinde büyütüldü. Raman fonon spektrumu, InAs-, GaAs-and AlAs-benzer boyuna optik fonon modlarını sağlayan bir üç-mod davranışıgösterdi. GaAs ve AlAs-benzer modların frekansları, Ga (veya Al) yoğunluklarıile lineer olarak değişirken InAs-benzer fononun konumu neredeyse sabitkalmaktadır. Modların şiddet oranlarının, bileşimlerine karşılık gelen oranlaorantılı olduğu görüldü. Düzensiz-etkiler sebebiyle oluşan LO fonon modlarınınRaman çizgi şekillerin asimetrik genişliği ?konumsal koralasyon? yaklaşımı ileen iyi şekilde açıklanabildi.Bilim Kodu : 4040501Anahtar Kelimeler : Dörtlü bileşikler, fonon modları, Raman spektrumu,RCI modelSayfa Adedi : 51Tez Yöneticisi : Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL
Yazar
Elif Güç
Bu Yayına Nasıl Atıf Yapılır
Elif Güç (Yüksek Lisans Tezi). III-V grubu yarıiletken bileşiklerin raman özellikleri, 2005, Gazi University.
Anahtar Kelimeler
Lisans
Tüm Hakları Saklıdır
Bu eser belirtilen lisans koşulları altında paylaşılmaktadır.
Gazi University tezlerinden daha fazlası
- Türkiye petrol ve gaz sondaj sahası iş kazaları analiz ve modellemesi(2021)
- XVI. yüzyıl Anadolu'sunda Oğuzların Karkın Boyu(2004)
- Experimental development of the interfacial bond-slip model between textile reinforced mortar strips and masonry walls(2025)
- Gerçek hayattaki geometri örneklerinin sosyal bir öğrenme ortamı aracılığıyla paylaşımı: Bir durum çalışması(2021)
- İki farklı irrigasyon aktifleştirme tekniğinin farklı kök seviyelerinde hazırlanmış yapay internal rezorpsiyon kavitelerinden kalsiyum hidroksit uzaklaştırma etkinliğinin değerlendirilmesi(2021)
- Sürdürülebilirlik ve iktidar bağlamında sözel belleğin Türk müzelerinde kullanımı(2010)