III-V yarı iletkenlerinin yüzey özellikleri

Bu çalısmada (1x1) Si (110) yüzeyi ve üzerine kaplanan GaAs'in yapısal ve elektronik incelemesi CASTEP yazılımı kullanılarak gerçeklestirildi. Hesaplamalarda kullanılan parametreler Si ve GaAs yığın kristallerinin sistematik optimizasyonları ile elde edildi. Parametre belirleme çalısması ardından 7 katman içeren, tabanı H ile etkisizlestirilmis, 10 Å vakum içeren (1x1) Si(110) 180 eV kesim enerjisinde geometri optimizasyonuna bırakıldı. Hesaplama sonucunda ortaya çıkan yapısal değisimler ve enerji bant diyagramı incelendi. Yedi katman Si(110) içeren yapıya, 10 Å vakum katmanı sabit kalacak sekilde 1, 2 ve 3 katman GaAs kaplandı. Geometri optimizasyonu sonrası olusan yapılanma ve enerji bant yapısı incelendi. Hesaplama sonrası enerji bant semasında 0,5 - 0,7 eV aralığında doğrudan geçisli enerji aralıkları tespit edildi. Anahtar Kelimeler : Silikon, III-V, yarıiletken, CASTEP, DFT, yüzey