InAlN/GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörlerin (HEMT) elektron ve magneto iletim özellikleri

Bu çalışmada InAlN/GaN ve InAlN/AlN/GaN/AlN yüksek mobiliteli transistör (HEMT) yapılarının elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Bu amaçla, her bir numunenin özdirenci, Hall mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu sıcaklık (30 ? 300 K) ve manyetik alanın (0 ? 1,4 T) fonksiyonu olarak ölçüldü. Manyetik alana bağımlı ölçüm sonuçları, Nicel Hareketlilik Spektrumu Analizi (QMSA) yöntemi kullanılarak analiz edildi ve gerçek 2-boyutlu elektron gazı (2DEG), bulk taşıyıcı yoğunlukları ve bu taşıyıcı yoğunlularından kaynaklanan mobiliteler tespit edildi. Sıcaklık bağımlı Hall ölçüm sonuçları ve QMSA ile ayrıştırılmış 2DEG verileri kullanılarak saçılma analizleri ve gerginlik hesaplamaları yapıldı. Yapılan analizler sonucunda, 2DEG iletiminin gerçekleştiği kuantum kuyusu genişliği, arayüzey bozukluğu ve gerginlikleri belirlendi. Ayrıca, korelasyon uzunluğu, deformasyon potansiyeli ve kuyu genişliği gibi parametreler belirlendi. Yapısal özelliklere ait bu parametrelerin belirlenmesi, daha sonraki çalışmalarda elektriksel özellikleri daha iyi olan numunelerin üretilmesinde yol gösterme işini üstlenecektir.