Reakti̇f saçtirma yöntemi̇ i̇le oluşturulan Cr2O3/n-Si heteroeklemleri̇n elektri̇ksel özelli̇kleri̇ne alttaş sicakliğinin etki̇si̇

Bu çalışmada, alttaş sıcaklığının Cr2O3/n-Si heteroeklemler üzerine etkisini incelemek amaçlanmıştır. Bu amaçla, Cr2O3 ince filmleri 40, 150 and 250 °C alttaş sıcaklıklarında radio frekansı (RF) reaktif saçtırma yöntemi ile n-Si ve cam alttaşlar üzerine büyütülmüştür. Yüksek saflıktaki Cr metali hedef ve oksijen ise reaktif gaz olarak kullanılmıştır. Cr2O3 ince filmlerin optic özellikleri uv-vis verileri ile incelenmiştir. Cr2O3/n-Si heteroeklemlerin elektriksel özellikleri karanlıkta akım-gerilim (I-V) ölçümleri ile incelenmiştir. 250 °C alttaş sıcaklığında büyütülen Cr2O3 ince filmleri ile oluşturulan Cr2O3/n-Si heteroeklemin mükemmel doğrultmaya sahip olduğu görülmüştür. Bu yapının idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel özellikleri I-V verileri ile hesaplanmıştır. Işık şiddetinin bu yapının fotovoltaik parametreleri üzerin etkiside incelenmiştir. Son olarak, kapasite gerilim ölçümleri ile elde edilen engel yüksekliği değeri I-V ile elde edilen değer ile karşılaştırıldı.