Püskürtme yöntemiyle elde edilmiş In2S3 filmlerinin farklı taban sıcaklıklarında düzensel, yapısal ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

Bu çalışmada, In2S3 filmleri püskürtme yöntemiyle hazırlandı ve düzensel, yapısal ve optik özellikleri değişik yöntemler kullanılarak incelendi. In2S3 filmleri 250 ile 350 ºC arasında değişen farklı taban sıcaklıklarında cam zemin üzerine oluşturuldu. Kimyasalların düzensel incelemeleri EDX yöntemiyle yapıldı. Film üzerindeki bir alandan alınan EDX sonuçları, filmin az miktarda O, Na ve Si'den oluştuğunu ve ayrıca film üzerindeki In'nin S'ye olan oranını gösterdi. In2S3 filmlerinin optiksel özellikleri optik emilim katsayısı verilerinden çift ışınlı görünür spektrofotometre kullanılarak incelendi. Yasak bant enerjisinin 2.61 eV ile 2.71 eV arasında olduğu tespit edildi. In2S3 film örneklerinin kristal yapısı SEM ve X-ışını kırınım tepelerine bakılarak bulundu. Bunun yanısıra In2S3 filmleri O2 ortamında farklı tavlama sıcaklıkları altında ısısal oksitleme ile In2O3 filmlerine dönüştürüldü.