Işığa duyarlı yarıiletken gaz boşalma yapısının özellikleri

H2 gazı ortamında düzlemsel bir boşalma hücresindeki gaz kırılması farklı elektrotlar arası mesafeler, farklı elektrot çapları ve farklı basınçlarda deneysel olarak araştırıldı. GaAs katotlu gaz boşalma sisteminin Akım-Voltaj (AVK) ve Radyasyon-Voltaj (RVK) karakteristiği incelendi. H2 gazından elde edilen deneysel sonuçlar hava ortamındaki sonuçlarla karşılaştırıldı. Kararlı boşalma bölgeleri ve kontrol edilebilir çalışma modu belirlendi. Ayrıca yarıiletken gaz boşalma yapısının (YGBY) kararsız olduğu şartlar da belirlendi. AVK ve RVK' nın N-tipli kararsızlıkları tespit edildi. EL2 olarak adlandırılan derin elektronik seviyelerin varlığının, materyalin N-tipli NDD' sine ve sonuç olarak GaAs fotodetektöre yeterince yüksek voltaj uygulandığında akım osilasyonlarına yol açtığı tespit edilmiştir. Ayrıca sistemin dinamik özelliği 150 saniye zaman aralığında incelendi.