Katkısız ve kobalt katkılı NiO tabanlı diyotların üretimi ve elektriksel karakterizasyonu

Bu çalışmada, sol jel spin kaplama yöntemi ile katkısız ve kobalt katkılı nikel oksit ince filmleri cam alttaşlar ve n-tipi silisyum alttaşlar üzerine kaplandı. İlk etapta cam alttaşlar üzerine kaplanan ince filmlerin elektriksel iletkenlikleri incelendi. Daha sonra n-Si alttaşlar üzerine yapılan kaplama ile heteroeklem yapılar üretildi. Elde edilen bu heteroeklem yapıların düz ve ters beslem akım-voltaj (I-V) karakteristikleri Termiyonik Emisyon (TE) teorisi kullanılarak incelendi. Üretilen tüm yapıların doğrultma davranışı sergiledikleri gözlendi. Diyotların idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (ΦB) ve doğrultma oranı (RR) ile Norde fonksiyonu yardımı ile seri direnç gibi diyotunun temel elektriksel parametreleri hesaplandı. Yapılan ölçümler sonucunda kobalt katkılandırmanın üretilen ince filmler üzerindeki etkisi araştırıldı. Bununla birlikte, 10 kHz – 1 MHz frekans aralığında kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V), seri direnç-voltaj (Rs-V) ve arayüzey durumları (Dit) grafikleri çizilip incelendi. Diyotların 1 MHz frekansta (C-2-V) grafikleri kullanılarak Nd (cm-3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb (C-V)Ev, Wd (nm), ∆Փb (eV) ve Emax (V/cm) gibi elektriksel parametreleri hesapladı. Elde edilen hesaplamalar sonucunda tüm elektriksel parametrelerin katkı miktarına kuvvetli bir şekilde bağlı olduğu gözlendi. İlaveten, elde edilen bulgular kobalt katkısı ile diyotların elektriksel parametrelerinin ayarlanabileceğini göstermektedir.