Kimyasal püskürtme tekniği ile üretilen CdO bileşiklerinin yapısal ve optik özellikleri

Bu çalışmada, katkısız ve farklı oranlarda (%0, %2, %4, %6 ve %8) flor katkılı CdO yarıiletken filmleri kimyasal püskürtme yöntemi ile cam tabanlar üzerine 250 ? taban sıcaklığında üretilmiştir. CdO yarıiletken filmlerinin yapısal ve optiksel özelliklerine F katkısının etkisi araştırılmıştır. Üretilen yarıiletken ince filmlerin kalınlıkları, 0.078-0.150 µm arasında değişmektedir. CdO:F filmlerinin soğurma spektrumlarından direkt band geçişli oldukları ve yasak enerji aralıklarının 2,60-3,40 eV arasında değiştiği görülmüştür.X-ışınları kırınım desenlerinden elde edilen filmlerin yapısının polikristal ve yüzey merkezli kübik yapıda oldukları belirlenmiştir. Katkısız ve F katkılı CdO ince filmlerinin x-ışını kırınım deseninden yararlanarak a örgü sabiti değerlerinin 4,68514 ? ile 4,7067 ? arasında, tanecik büyüklüklerinin 215 ? ile 265 ? arasında ve dislokasyon yoğunluklarının 1,418×10-3 (nm)-2 ile 2,16132×10-3 (nm)-2 arasında oldukları hesaplanmıştır.