Kimyasal püskürtme yöntemiyle büyütülen borik asit katkılı CdS filmlerinin karakterizasyonu

Bu çalışmada, Kadmiyum Sülfür (CdS) yarıiletken filmleri, farklı borik asid (H3BO3) oranlarla ve 350 oC taban sıcaklığında cam alt tabanlar üzerinde kimyasal püskürtme yöntemiyle elde edilmiştir. Elde edilen bu filmlerde borik asidin etkisi incelenmiştir. Bunun için ilk olarak filmlerin yapısal değişimi ve filmlerin elektriksel dirençlerinin değişimi üzerindeki etkisi incelenmiş, bu değişimlerin filme katkısının ne olduğu incelenmiştir. Sabit alt taban sıcaklığında ve değişik oranlarda bor katkılı yarı iletken filmler için çeşitli yapısal parametreler uygun şekilde yöntem ve formüller kullanılarak hesaplanmıştır. Farklı borik asit oranlarıyla elde edilen filmler arasında en iyi filmin %1 borik asit eklenerek yapılan olduğu gözlenmiştir. CdS yarıiletken film örneklerinin dirençleri ve Hall mobiliteleri Van Der Pauw metoduyla bulunmuştur. Elde edilen CdS:B filmlerinin oda sıcaklığındaki temel absorbsiyon spektrumlarından değişim grafiği çizilmiş ve CdS:B yarıiletken filmlerinin direkt bant geçişine sahip olduğu belirlenmiştir. Çizilen bu grafikler yardımıyla belirlenen yasak enerji aralığı değerlerinin literatürde yer alan değerle uyum gösterdiği görülmüştür. Bu çalışmada üretilen filmlerin yapısal, optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi sonucunda, seçilen katkı oranları içinde en olumlu etkinin %1 oranında borik asidin katkılanması halinde elde edilebileceği sonucuna varılmıştır. Ayrıca bu filmlerin fotovoltaik güneş pillerinde soğurucu tabaka olarak kullanılabileceğini düşünmekteyiz.