Kobalt katkılı bakır oksit ince film tabanlı yapıların elektriksel karakterizasyonu

Sol jel döndürme kaplama yöntemi ile katkısız ve kobalt katkılı bakır oksit ince filmleri n tipi silisyum alttaşlar üzerine kaplanarak heteroeklem yapılar üretildi. Elde edilen bu heteroeklem yapıların fotoelektriksel özellikleri incelendi. Yapılan ölçümler sonucunda kobalt katkılandırmanın üretilen ince filmler üzerindeki etkisi araştırıldı. Üretilen bu yapıların I-V grafikleri karanlıkta ve 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında çizilerek incelendi. I-V grafiklerini kullanarak bu diyotların idealite faktörü (η), bariyer yüksekliği (ΦB), doğrultma oranı (RR), Norde fonksiyonu yardımı ile seri dirençleri karanlık ve ışık altında hesaplandı. Bununla birlikte, 10 kHz – 1 MHz frekans aralığında C-V, Rs-V, G-V ile Dit grafikleri çizilip incelendi. Elde edilen diyotların ters beslem (C-2) grafiğini 1 MHz frekans altında çizerek Nd(cm-3), Vbi (eV), Nc (cm-3), Ef (eV), Փb(C-V) (eV), Wd (nm), ∆Փb (eV) ve Emax (V/cm) parametreleri hesapladı. Elde edilen hesaplamalar sonucunda tüm elektriksel parametrelerin katkı miktarına kuvvetli bir şekilde bağlı olduğu gözlendi.