LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

iiiLEC TEKN Ğ LE BÜYÜTÜLEN Zn KATKILI InAs YARI LETKEN NDESICAKLIK BAĞIMLI MANYET K VE ELEKTRON LET MÖZELL KLER(Yüksek Lisans Tezi)lker KARAGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜOcak 2006ÖZETBu çalışmada LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde iletimözellikleri incelendi. Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 20-345 K sıcaklık ve 0-1,5T manyetik alan aralığında yapıldı. Sıcaklığa bağlı özdirenç ölçümlerinden Znbağlanma enerjisi ve InAs yarıiletkeninin yasak enerji aralığı hesaplandı.ncelen numune düşük ve yüksek sıcaklık bölgesinde n-tipi elektriksel iletkenlikgösterirken orta sıcaklık bölgesinde p-tipi elektriksel iletkenlik özelliği gösterdi.Manyetik özdirenç ölçümleri klasik manyetik özdirenç teorisi ile analiz edildi.Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri ‛Nicel MobiliteSpektrum Analiz' (QMSA) tekniği ile analiz edilerek; bireysel taşıyıcılarınelektron ve manyetik iletime etkileri araştırıldı. Ölçümler ve analizlersonucunda, alıcı ve verici safsızlık enerji seviyelerini içeren bir bant modeliönerildi.Bilim Kodu : 202.1.075Anahtar Kelimeler : InAs, Hall Mobilitesi, QMSA, Elektron letimi. ManyetikÖzdirençSayfa Adedi : 81Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP