RDL Thesis logo
Yüksek LisansAçık Erişim
TR
|EN

LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri

Bu tez size mi ait?

Bu kayıt toplu arşivden geldi. Sizinse profilinize bağlayın.

2006
0 görüntülenme
0 i̇ndirme
Danışman: Doç. Dr. Mehmet Kasap

Özet (TR)

iiiLEC TEKN Ğ LE BÜYÜTÜLEN Zn KATKILI InAs YARI LETKEN NDESICAKLIK BAĞIMLI MANYET K VE ELEKTRON LET MÖZELL KLER(Yüksek Lisans Tezi)lker KARAGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜOcak 2006ÖZETBu çalışmada LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde iletimözellikleri incelendi. Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 20-345 K sıcaklık ve 0-1,5T manyetik alan aralığında yapıldı. Sıcaklığa bağlı özdirenç ölçümlerinden Znbağlanma enerjisi ve InAs yarıiletkeninin yasak enerji aralığı hesaplandı.ncelen numune düşük ve yüksek sıcaklık bölgesinde n-tipi elektriksel iletkenlikgösterirken orta sıcaklık bölgesinde p-tipi elektriksel iletkenlik özelliği gösterdi.Manyetik özdirenç ölçümleri klasik manyetik özdirenç teorisi ile analiz edildi.Manyetik alan bağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri ‛Nicel MobiliteSpektrum Analiz' (QMSA) tekniği ile analiz edilerek; bireysel taşıyıcılarınelektron ve manyetik iletime etkileri araştırıldı. Ölçümler ve analizlersonucunda, alıcı ve verici safsızlık enerji seviyelerini içeren bir bant modeliönerildi.Bilim Kodu : 202.1.075Anahtar Kelimeler : InAs, Hall Mobilitesi, QMSA, Elektron letimi. ManyetikÖzdirençSayfa Adedi : 81Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP

Yazar

İlker Kara

Kurum

Gazi University
Gazi University
Fen Bilimleri Enstitüsü
Fizik Anabilim Dalı

Bu Yayına Nasıl Atıf Yapılır

İlker Kara (Yüksek Lisans Tezi). LEC tekniği ile büyütülen Zn katkılı InAs yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri, 2006, Gazi University.

Anahtar Kelimeler

Lisans

Tüm Hakları Saklıdır

Bu eser belirtilen lisans koşulları altında paylaşılmaktadır.

Gazi University tezlerinden daha fazlası