Metal ZnO ve ZnO1-x metal yapısının memristiv davranışının elektriksel ve optik karakterizasyonu

Bu çalışmada DC magnetron saçtırma tekniği kullanılarak ZnO ve ZnO1-x yapıların elde edilmesi için uygun parametre ve yöntemler belirlendi. Elde edilen ince film yapıların optik soğurma ölçümleri ile bant kenarı 3,2 eV olarak bulundu. ZnO ince filmlerin yasak enerji aralığı fotolüminesans spektroskopisi ile de doğrulandı. XRD tekniği ile kırınım açılarının ZnO 'ya ait ICSD 01-075-0576 veri tabanıyla uyumlu olduğu tespit edildi. SIMS metodu ile derinlik analizleri yapılarak yapısal karakterizasyonları tamamlandı. Al ve Ag metalizasyonunda PVD yöntemi kullanıldı. Karakterizasyonu yapılacak Al/ZnO/Al ve Al/ZnO/ZnO1-x/ZnO/Al memristör aygıtları fabrika edildi. Üretilen aygıtların elektriksel karakterizasyonu yapılarak memristiv davranışları incelendi. Yarı saydam Ag üst kontak ve lazer uyarım kullanılarak, elektrik alan (memristiv davranış) altında fotolüminesans (PL) ölçümleri ile optik karakterizasyonlar tamamlandı. Metal/Metal Oksit/Metal formunda hazırlanan ZnO ve ZnO1-x yapıların elektriksel ve optik karakterizasyonlarının memristiv davranışla ilişkili olduğu gözlemlendi.