Ten million-atom ingaas embedded quantum dot electron G factor calculations using semi-empirical pseudopotentials

Kuantum teknolojileri elektron spininin tüm Bloch küresi üzerinde kontrolü, ayırt edilemeyen tek foton üretimi, ya da dolanık foton çifti gibi yeteneklere gereksinim duyar. Bütün bu amaçlar için en iyi yarıiletken yapı şu anda InGaAs kuantum noktalardır. Bu tezde farklı şekile, boyuta, indiyum yoğunluğuna ve tekdüze gerinmeye sahip gömülü InGaAs kuantum noktaların temel elektron durumlarının g tensörleri atom düzeyinde deneysel potansiyel yöntemiyle hesaplanmıştır. Bazı kuantum nokta şekillerinin anizotropik olmasına rağmen bulunan tensör değerlerinin birbirinden kayda değer bir farkı yoktur. g çarpanı - enerji aralığı eğrileri çizdirildiğinde g çarpanının evrenselliği daha önceki bir çalışmada kısıtlı parametreler için gösterilmişti. Bizim çalışmamız bu evrenselliğin alaşım InGaAs kuantum noktalarda ve çevreleyen matrisine nüfuz ettiği daha gerçekçi durumlarda görüldüğünü ortaya koymaktadır. Regresyon modelimiz optik geçiş enerjisinin 1.13 eV olduğu durumda manyetik alanın elektron üzerindeki etkisinin en az olduğunu söylemektedir. Ayrıca, az indiyum yoğunluğundaki kuantum noktaların g çarpanı ayarlanabilirliklerinin düşük olduğu bulunmuştur. Çalışmamız sıfıra yakın g çarpanlı kuantum nokta üretimi ya da başka arzulanan g çarpanlı kuantum noktaların spintronik veya elektron spin yankısı çalışmaları için yararlı olacaktır.