MIS yapıların dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi

Au/SnO2/n-Si (MIS) yapıların; dielektrik sabiti ( ? '), dielektrik kayıp ( ? "), dielektrik kayıp açısı (tan ? ), ac elektrik iletkenlik ( ? ac), reel ve imajiner elektrik modülü ( ? ' and ? ") gibi dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklık bağımlılığı, 100 Hz-1 MHz frekans ve 100-400 K sıcaklık aralığında deneysel kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri kullanılarak araştırıldı. Deneysel sonuçlar hem elektrik hem de dielektrik parametrelerin güçlü bir şekilde frekans ve sıcaklığa bağımlı olduğunu göstermektedir. ?' ve ?'' artan frekansla azalırken, artan sıcaklıkla artmaktadır. Aynı zamanda, ac elektriksel iletkenlik (sac) hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile artmaktadır. Arayüzey kutuplanması düşük frekanslarda daha kolay gerçekleşebilmekte ve yarıiletken/yalıtkan arayüzeyinde arayüzey durum yoğunluğu sayısı, MIS yapının dielektrik özelliklerinin iyileştirilmesine katkı sağlamaktadır.Anahtar Kelimeler : MIS yapılar; Dielektrik özellikler; Frekans ve sıcaklığa bağlılık; Elektriksel iletkenlik