Nano yapılı uçucu olmayan bellek aygıtlarının üretimi ve karakterizasyonu

Bu çalışmada, uçucu olmayan bellek uygulamalarında kullanılma potansiyeli olan düzenli Au nano noktalara sahip MOS kapasitörün üretimi ve karakterizasyonu amaçlanmıştır. Hızlı Termal Oksidasyon ile p-tipi Si üzerine ince oksit tabakası oluşturulmuş ve Elektron Demeti ile Litografi (electron Beam Lithography, EBL) yöntemi kullanılarak nanoparçacıkların boyutları ve konumları kontrol edilmiştir. EBL kullanılarak 30 kV hızlandırma geriliminde tekli noktalar olarak yazdırma işlemi gerçekleştirilmiştir. Litografi işlemi ardından SEM görüntüleri üzerinden işlem kalitesi değerlendirilmiştir. Termal Buharlaştırıcı kullanılarak son kalınlık 13 nm olacak şekilde, 3 Å/s kaplama hızı ile Au kaplanmış ve metal nanoparçacıklar oluşturulmuştur. ImageJ programı yardımıyla elde edilen nanoparçacıkların dağılım istatistikleri alınan SEM görüntüleri üzerinden elde edilmiştir. RF saçtırma tekniği nanoparçacıkların üzeri 30 nm kalınlığında kapı oksidi kaplanmıştır. C-V ve I-V ölçümleri ile yapının yük tutma becerisi incelenmiştir. SEM analizleri sonucu elde edilen nanoparçacık yoğunluğu 10^10 NP/inç2'dir. Yazma silme gerilimi, çalışma hızı ve yük saklama süresi gibi çalışma parametreleri yapılan elektriksel analizler sonucu belirlenmiştir.