MOS-C gerçeklemesi ile analog tüm devre tasarımında yeni olanaklar

Bu tezde, analog tümdevrelerdeki MOS-C gerçeklemesi yaklaşımı incelenmiştir. Bu yaklaşıma göre, devrelerdeki dirençler MOS tranzistörler ile gerçeklenir. Bu amaç için, ilk olarak MOS tranzistör akımındaki doğrusal olmayan terimlerin yok edilme teknikleri incelenmiş ve bu tekniklere ait denklemler verilmiştir. Bahsedilen bu tekniklerin kullanılabileceği uygun aktif eleman yapıları işlemsel kuvvetlendirici, işlemsel geçiş-direnç kuvvetlendiricisi, birinci nesil akım taşıyıcı, ikinci nesil akım taşıyıcı, üçüncü nesil akım taşıyıcı, ikinci nesil tersleyen akım taşıyıcı, diferansiyel gerilim akım taşıyıcı, diferansiyel fark akım taşıyıcı sunulmuş, terminal bağlantıları ve eleman simgeleri gösterilmiştir. Bahsedilen doğrusal olmayan terimleri yok etme tekniklerini ve bunlara uygun aktif elemanları kullanarak iki adet yeni birinci dereceden tüm geçiren süzgeç devresi tasarlanmıştır. Kerwin-Huelsman-Newcomb Fleischer-Tow ve Tow-Thomas filtre devreleri tümüyle tümleşik edilebilir ve elektronik olarak ayarlanabilir özellikte yeniden geliştirilmiştir, Yeni bir tek aktif elemanlı filtre devresi tasarlanmış ve daha önce sunulmuş olan bir osilatör devresi geliştirilerek elektronik ayarlı frekansa sahip hale getirilmiştir. Ayrıca bir uygulama devresi olarak da beşinci dereceden eliptik video filtre uygulaması sunulmuştur. Sunulan bütün devrelerdeki dirençler MOS tranzistörler ile gerçeklenmiş ve bu özellik sayesinde devreler tümdevre edilebilir hale gelmişlerdir. MOS tranzistörlerin kapı gerilimlerini değiştirerek, sunulan devrelerin açısal frekansları, kalite faktörleri ve kazançları elektronik olarak ayarlanabilir özelliğe sahip olmaktadır. Sunulan devrelerin çalışabilirliği PSPICE benzetim sonuçlarıyla gösterilmiştir.