(Ni/Au)/Al0. 22Ga0. 78N/AlN/GaN çoklu-yapıların elektriksel karakteristiklerinin admitans spektroskopi metoduyla incelenmesi

Ni/Au)/Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çoklu-yapıların sıcaklığa bağlı ve karakteristikleri 80?390 K sıcaklık aralığında etkisi göz önünde bulundurularak araştırıldı. Deneysel sonuçlar ve değerlerinin sıcaklık ve uygulanan voltajın güçlü birer fonksiyonu olduğunu gösterdi. Tüm sıcaklıklar için kapasitansın belirli bir voltaj noktasından (~2,8 V) geçtiği ve sonra negatif değerlere gittiği görüldü. Bu durum literatürde negatif kapasitans (NC) olarak bilinir. Bu davranışı açıklamak için aynı voltaj değeri için farklı sıcaklıklarda ve grafiği çizildi. 'nin negatif değerlerinin artan sıcaklıkla azaldığı görülmüştür. NC'deki bu azalma değerlerinde bir artmaya sebep olur. ve değerlerinin bu davranışı polarizasyondaki artışa ve daha fazla taşıyıcının yapı içine sokulmasına atfedilebilir. değerlerinin artan sıcaklıkla arttığı gözlendi. eğrilerindeki kesişme ve değerlerinin sıcaklıkla artıyor olması özellikle düşük sıcaklıklarda serbest yük taşıyıcıların eksikliği ile açıklanabilir. Al0.22Ga0.78N/AlN/GaN çoklu yapılarda yüzey durumlarının admitansa bağlı karakteristikleri incelendi. ve ölçümleri 5 kHz-1 MHz frekans aralığında gerçekleştirildi ve deneysel veriler değerlendirilirken eşdeğer devre modeli kullanıldı. Frekansa bağlı ve verileri değerlendirilirken yüzey durumlarının metal-GaN yüzeyi arasında yer aldığını varsayan model kullanıldı. Yüzey durumlarının yoğunluğu ve zaman sabiti enerjinin ( ) bir fonksiyonu olarak verildi. Metal ile GaN tabakası arasında bir yalıtkan tabaka varlığında diyot parametrelerinin değişimini incelemek üzere GaN tabakası üzerine 5,5 nm kalınlığında SiNx yalıtkan tabaka kaplanarak sonuçlar karşılaştırıldı. Buna göre yalıtkan tabaka varlığında kaçak akımı azalırken, n ve değerlerinin arttığı görüldü. Ayrıca yalıtkan tabaka varlığında NC'nin daha ileri voltajlarda ortaya çıktığı görüldü.