Nitratlı fonksiyonel malzemelerin (GaN/AlN/alInN/InGaN ) mozaik kusurlarının incelenmesi

Metalorganik kimyasalbuhar biriktirmeyöntemi ile InGaN ve AlInN sırasıyla LED ve HEMT yapılar safir alttaş üzerine AlNtampon veGaNepi tabaka olarak büyütüldü. İndiyumartışı altında 5x (InGaN / GaN) Çoklu Kuantum Kuyusu(MQW) LED ve AlInN/AlN/GaN HEMT yapısalözelliği yüksek çözünürlüklüX-Işını kırınımı ile çalışıldı. Hall Etkileri (HALL), Atomik KuvvetMikroskopi (AFM) ve Fourier Dönüşümlü Kızılötesi Spektroskopisi (FTIR) sonuç parametreleri ile yapısal sonuçlar karşılaştırıldı. In katkılanma oranına bağlı olarak InGaN LED ve AlInN HEMT yapılarının mozaik kusurlarını ayrıntılı olarak inceledi. LED yapının her iki AlN ve GaN tabakaların HRXRD ölçüm sonuçları indinyum oranı ile monomatik olarak değişmektedir. Fakat bu tabakaların bazı kusur özellikleri bir biri ile ters davranış özelliği göstermektedir. Ayrıca HRXRD ölçümlerde bazı numunelerin kristalize özelliği iyi seviyede olmadığı için miller düzlemlerin bir kaçı iyi gözlenmemektedir. Buna rağmen AlInN yapının kusur özelliği her üç örneğin (00.4) miller düzleminin HRXRD pik yarı genişliğinden (0,20, 0,35 ve 0,16 derece) kusur özelliği basit olarak takip edildi. AlInN da yarı genişlik değerlerin artıp azalması GaN ve AlN?ın uyumluğu ile benzerdir. HEMT yapıda HRXRD sonuçlarından aktif tabakanın yanal ve dik mozaik blok uzunlukları, eğilme ve burkulma açısı, karışık zorlama (strain) değerleri In oranı ile monoton bir davranış gösterir. AFM sonuçları filimlerin yüzey morfomolojisi In oranına bağlıdır. In oranı artarken örneklerin yüzey morfolojisi stepli durumdan ada benzeri bir yapıya dönüşmektedir. Aktif tabakanın FTIR ve PL sonuçları HRXRD mosaik kusur özellikleri ile uyumludur. Sonuç olarak AlN ve GaN tabakaların mozaik kusur yapıları InGaN MQW LED ve AlInN HEMT? in mozaik kusur yapıları ile aynı eğilime ve temsiline sahiptir.