Nitrit temelli (III-V) yarıiletken heteroyapıların morfolojik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

GaN(kep)/Al0,3Ga0,7N/AlN heteroyapının morfolojik, yapısal ve elektriksel özellikleri araştırıldı. Yüzey analizi ile vida tipli dislokasyonlu (~108 cm-2) yapının GaN yüzeyi, basamaklı mod ile büyütüldüğü gösterildi. Yapısal analizi ile heteroyapının kristal yapı kalitesi incelendi ve epitaksiyel tabakaları doğrulandı. Yapının elektriksel özelliklerin incelenmesinde; sıcaklığa bağlı (20-350 K) Hall etkisi ölçümü ile taşıyıcı yoğunluğu (nH) ve mobilite (µ) değerleri hesaplandı. Heteroyapının 2DEG tipli yapı sergilediği görüldü. Yapı üzerinde Schottky ve omik kontak oluşturularak, sıcaklığa bağlı (295-415 K) akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri yapıldı. Doğru beslem I-V ölçümlerinden; yapının idealite faktörü (n), seri direnç (Rs), potansiyel engel yüksekliği (?B), C-V ve G/w-V ölçümlerinden; arayüzey durum (Nss) yoğunluğu, taşıyıcı yoğunluğu (ND), Rs, ?B gibi temel elektriksel parametreler hesaplandı. Gaussian dağılım fonksiyonu kullanılarak, potansiyel engel yüksekliğinin ortalama değeri ( ) ve Richardson sabiti (A*) gibi önemli parametrelerin değerleri hesaplandı teorik sonuçlarla karşılaştırıldı.