Püskürtme tekniği ile elde edilen TiO2 filminin yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Bu tez çalışması kapsamında, DC magnetron püskürtme sistemi ile biriktirilmiş 1500 Å kalınlığındaki TiO2 arayüzey tabakasına sahip Au/TİO2/n-Si Schottky diyotların yapısal ve elektriksel analizi yapıldı. Metal kontaklar oluşturulmadan önce kristal kalitesinin artırılması, amorf fazdan anataz ve rutil fazlara geçişin sağlanabilmesi için numuneler 700 ? C ve 900 ? C'de hava ortamında tavlandı. Tavlama ile faz değişimlerinin gerçekleşip gerçekleşmediğinin anlaşılabilinmesi için tavlanan numunelerin yapısal analizi yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD) metoduyla gerçekleştirildi. HRXRD analizi sonucunda 700 ? C tavlama sıcaklığında amorf fazdan anataz faza, 900 ? C'de ise amorf fazdan rutil faza geçiş olduğu gözlendi. Ayrıca, oda sıcaklığında anataz ve rutil fazlı TiO2 arayüzey tabakasına sahip Au/n-Si Schottky diyotların idealite faktörü (n), kaçak akımı (IL), engel yükseliği ( ? B), seri direnci (Rs), şönt direnci (Rsh) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) gibi temel elektriksel parametreleri oda sıcaklığında ileri-geri beslem akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Sonuç olarak rutil fazlı TiO2 arayüzey tabakalı numunenin daha iyi aygıt özelliklerine sahip olduğu ve bu türdeki aygıtlar için daha uygun olduğu görüldü.