Sezyum klorür (cscl) yapıdaki ırx (x=al, sc ve ga) bileşiklerinin yapısal, elektronik ve fonon özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi

Bu tezde, IrX (X=Al, Sc and Ga) bileşiklerinin B2 (CsCl) yapısındaki elastik, elektronik ve fonon özellikleri ab initio pseudopotansiyel metodu ve Yoğunluk fonksiyonel teorisinin (YFT) genelleştirilmiş eğim yaklaşım (GEY) içerisindeki lineer tepki yaklaşımı ile detaylı olarak çalışıldı. Örgü parametresi, bulk modülü ve bulk modülünün birinci türevi gibi temel durum özellikleri değerlendirildi. Elastik sabitleri fonon dispersiyon eğrilerinden hesaplandı. IrX (X=Al, Sc and Ga) bileşiğinin elektronik bant yapılarının Fermi seviyesine ana katkısı Ir-5d durumundan geldiği görülmektedir. Fonon dağınım eğrileri ve toplam ve parçalı fonon durum yoğunlukları lineer tepki metoduna bağlı olarak tüm materyal için incelendi.