Si(100) yüzeyinin ısing model ile incelenmesi

Bu çalışmada, Si(100) yüzeyinin kritik davranışı Ising modeli temel alan Creutz Cellular Automaton soğutma algoritması ile incelenmiştir. Hesaplamalar, periyodik sınır koşulları göz önüne alınarak, Lx=30, 60, 90, 120 ve Ly=Lx, 2Lx,?.,10Lx kenar uzunluklu dikdörtgen örgüler kullanılarak yapılmıştır. İncelemeler, Si(100) yüzeyindeki dimerlerin anizotropik etkileşimlerinden dolayı düzen durumunu elde etmek için gerekli en büyük Lx/Ly oranının 1/7 olması gerektiğini göstermiştir. Ayrıca yüksek sıcaklıkta STM gözlemleriyle uyumlu yüzey resimleri elde edebilmek için spin ortalamalarının belirli bir ? ayrıma oranıyla ayrılması gerektiği sonucuna varılmıştır. Farklı parametre setlerine ait sonsuz örgü kritik sıcaklıkları elde edilmiş, deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Son olarak, diagonal parametre değişiminin kritik davranışa etkisi gösterilmiştir.