Silisyum karbür tek kristalli alttaşın termal dekompozisyon ile yüzey grafitizasyonunda demirin etkisinin araştırılması

Bu çalışmada, tek kristalli silisyum karbür (SiC) alttaşın düşük sıcaklıklarda (1100oC) yüzey grafitizasyonu için bir metot sunulmuştur. SiC'in dekompozisyon sıcaklığını düşürmek için farklı kalınlıklarda Fe ince film elektron demeti yöntemiyle, farklı molaritelerdeki Fe solüsyonları solüsyon tekniğiyle SiC alttaş üzerine uygulanmıştır. Daha sonra numuneler önce hidrojen ortamında, sonrasında vakumda tavlamaya tabi tutulmuştur. Numunelerin, işlem öncesi ve sonrası, yüzey karakterizasyonu, SEM, EDX, XRD, XPS, Raman spektroskopisi gibi çeşitli görüntüleme ve spektroskopi teknikleri kullanılarak yapılmıştır. Katalizör uygulama metodunun ve katalizör kalınlığının etkileri sistematik olarak incelenmiştir. Sonuçlar, Fe'nin düşük sıcaklıklarda SiC yüzey dekompozisyonu için etkili olarak, grafitik yapı oluşumuna imkan sağladığını göstermektedir. Sunulan yaklaşım, özellikle yarı iletken prosesleri için kritik olan grafenin sentez sıcaklığını düşürme konusunda fayda sağlayabilir.