Silisyum tabanlı nanokristallerin yapısal ve optiksel incelenmesi

Bu çalışmanın amacı, güncel teknolojik uygulamalarda birçok araştırmacının dikkatlerini üzerine çekmeyi başaran nano boyutlarda malzeme üretimidir. Bu amaçla Plazma Destekli Kimyasal Buhar Biriktirme (PECVD) tekniği ile ince filmler büyütüldü. Bu filmler, matris içinde nanokristallerin oluşabilmesi için tavlama işlemine tabi tutuldu. Tavlama işlemiyle silisyum oksit (SiO2) film içerisinde oluşan Ge nanokristaller, Yüksek Çözünürlüklü Geçirgen Elektron Mikroskobu (HRTEM), Raman, Fotoışıma (PL) ve Fourier Transform Infrared (FTIR) spektroskopisi teknikleriyle incelendi. Ge nanokristal içeren SiO2 ince filmler GeH4, SiH4 ve N2O gazlarının farklı akış oranları kullanılarak plazma ortamında büyütüldü. Tavlama işleminin bir sonucu olarak farklı gaz akış oranları için Raman ve FTIR spektroskopisi yardımıyla Ge nanokristal oluşumları görüldü. Elde edilen sonuçlar nanokristal boyutunun gaz akış oranına bağlı olduğunu açıkça göstermektedir. Ayrıca, fotoışıma yardımıyla bu kristallerin optiksel özellikleri araştırıldı. Bu tezde sunulan sonuçlar literatür ile uyum içindedir.