Simultaneous STM/ AC-AFM investigation of clean Si(001)-(2x1) surface and Ge epitaxial growth on Si(001)-(2x1)

Özet TEMİZ Sİ(001)-(2xl) YÜZEYİ VE ÜZERİNE EŞÖRGÜSEL GE TABAKASI BÜYÜTÜLMÜŞ Sİ(001)-(2xl) YÜZEYLERİNİN TARAMALI TÜNELLEME MİKROSKOBU VE TEMASSIZ ATOMİK KUVVET MİKROSKOBUNUN EŞZAMANLI KULLANILARAK İNCELENMESİ Mehrdad Atabak Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Asst. Prof. Ahmet Oral Eylül 2001 Bu tez çalışmasında, taramalı tünelleme mikroskobu (TTM) ve temassız atomik kuvvet mikroskobu (temassız- AKM), temiz Si(001)-(2xl) yüzeylerinin ve üzerinde eşörgüsel büyütülmüş germanyum olan Si(001)-(2xl) yüzeylerinin incelenmesinde birlikte kullanılmıştır. TTM/temassız-AKM ve mikroskobun içine kurulduğu ultra yüksek vakum sistemi tanıtıldı. Bu mikroskobun temiz Si(001) yüzeyini ve üzerinde eşörgüsel germanyum büyütülmüş Si(001) yüzeyini ve Si (001) 'in kuvvet-uzaklık tayfını görüntülemekteki kapasitesi gösterildi. Anahtar sözcükler: Ultra Yüksek Vakum Sistemi, Taramalı Tünelleme Mikroskobu, Atomik Kuvvet Mikroskobu, Kuvvet-Uzaklık Tayfı, Eşörgüsel Büyüme. m