The effect of NiO thickness on electrical properties of the NiO/n-Si heterojunction structures

Bu çalışmada NiO ince filmleri, sol jel döndürme kaplama yöntemi farklı kaplama sayılarına göre n-Si alttaşlar üzerine büyütülerek heteroeklem uygulamaları gerçekleştirilmiştir. İnce film kalınlığının heteroeklem yapıların elektriksel ve optoelektriksel özelleri üzerindeki etkisi incelenmiştir. Heteroeklem yapıların seri direnç (Rs), düzeltme oranı (RR), idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (ΦB) gibi önemli bağlantı parametreleri I-V verileri analiz edilerek hesaplandı. Üretilen heteroeklem yapıların karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında akım-gerilim (I-V) karakteristikleri incelendi. Tüm yapıların ışığa duyarlı olduğu ve doğrultma davranışı sergilediği gösterildi. Diyotların idealite değerleri 3,29-7,05 arasında değişirken, bariyer yükseklikleri 0,67-0,76 arasında ve seri direnç değerleri 270-4436 arasında değişmiştir. Üretilen cihazların elektriksel davranışları farklı frekanslarda kapasite-gerilim (C-V), iletkenlik-gerilim (G-V) ve Seri direnç (Rs-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Artan frekansla kapasitenin, iletkenliğin ve seri direncin sırasıyla azaldığı, arttığı ve arttığı belirlendi. Bu davranış, üretilen numunelerin arayüz durumlarının varlığından kaynaklanmaktadır. Elektriksel karakterizasyon sonuçları, üretilen tüm cihazların optoelektronik alanlarda optik sensörler veya fotodiyotlar olarak çalıştırılabileceğini göstermiştir.