TIGaSe2(1-x)S2x yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi

ÖZET TlGaSe2(i-X)S2x tek kristalleri Bridgman-Stockbarger kristal büyütme metoduyla büyütüldü. Soğurma ölçüleri TlGaSe2(i-x)S2x (TlGaSeî, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8 ve TlGaS2) numunelerinde 10-320 K sıcaklık aralığında alındı. Direkt ve indirekt enerji aralıkları sıcaklığın fonksiyonu olarak incelendi. Sıcaklıkla değişim az olduğunda 20 K'lik çok olduğunda 5 ve 10 K'lik adımlarla ölçüler alındı. TlGaSe2(i-X)S2x numunelerinin 10 K sıcaklığında, direkt enerji aralıkları sırasıyla 2.294 eV, 2.398 eV, 2.445 eV, 2.463 eV, 2.531 eV, 2.547 eV ve indirekt enerji aralıkları 2.148 eV, 2.252 eV, 2.305 eV, 2.432 eV, 2.442 eV ve 2.501 eV'dir. TlGaSe2(i-x)S2x (TlGaSe2, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8 ve TlGaS2) tek kristalleri için hesaplanmış fonon enerjileri sırasıyla 0.039 eV, 0.051 eV, 0.021 eV, 0.006 eV, 0.006 eV ve 0.009 eV'dir. Direkt ve indirekt yasak enerji aralığında 90-100 K, 100 K, 100-120 K, 160-180 K, 220-240 K ve 240-250 K sıcaklıklarında ani değişiklikler gözlendi. Bu değişimler faz geçişi olarak yorumlandı.