Üçlü alaşım wurtzite AlxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı

Geçtiğimiz birkaç yıldır, görünür bölgede ışık yayan diyot ve kısa dalgaboylu lazer diyot uygulamalarına bağlı olarak grup III-nitrat yarıiletkenleri dikkat çekmektedir.Günümüzde III-V bileşiklerinde iki temel yapı kullanılmaktadır: hexagonal wurtzite yapı ve kübik zincblende yapı. Wurtzite yapı, doğrudan band aralığına sahip olduğu için daha sık kullanılmaktadır.Bu tezde, III-V nitratlarının yapısal ve elektronik özelliklerini elde etmek için pseudopotansiyel düzlem dalga yöntemi kullanılarak yoğunluk fonksiyoneli hesapları yapıldı. Sonuçlar, Yerel Yoğunluk Yaklaşımı (LDA) ve Genelleştirilmiş Gradyent Yaklaşımı (GGA) kullanılarak elde edildi.Zincblende ve wurtzite GaN, AlN bileşikleri ile wurtzite AlxGa1-xN alaşımı için örgü parametresi, yığın katsayısı ve türevleri ile band yapısı gibi bulk özellikler hesaplandı.Hesaplanan bulk özellikleri deneysel ve teorik verilerle karşılaştırıldı.