Influence of deposition conditions on charge-trapping based nonvolatile memories

Yakın zamana kadar, elektronik bellekler bilgisayar endüstrisinin vazgeçilmez bir öğesini oluşturmaktadır. Bu alanda yapılan çok sayıda akademik çalışma olsa dahi, günümüz yarıiletken teknolojisine entegre edebilme, fabrikasyon ve üretim teknolojileri gibi teknik konular yanı sıra ekonomik fizibilite halen büyük bir engel oluşturmaktadır. Buna karşın, yük-tuzaklamaya dayalı bellekler günümüz teknolojisine yenilikçi bir bakış açısı getirmekte, önemli bir alternatif sunmaktadır. Çünkü ölçeklenebilir olması ve düşük güç tüketimi ile günümüz teknolojisine üstünlük sağladığı düşünülmektedir. Bu çalışma kapsamında iki farklı yapı için büyütme koşullarının, uçucu olmayan belleklerde yük tuzaklamaya olan etkileri incelenmektedir. İlk yapıda, yük tuzaklama katmanı olarak Çinko Oksit (ZnO) kullanılmıştır. Atomik Katman Kaplama yöntemi ile kapı dieletriği ve yük tuzaklama katmanı tek bir büyütme basamağında yapılmış, bu sayede fabrikasyon kolaylığı sağlanmış ve çevresel kirlilik minimize edilmiştir. İkinci yapıda ise, Germanyum Antimon Telluryum (Ge2Sb2Te5) alaşımı yük tuzaklayıcı katman olarak seçilmiştir. İki yapıda kristal kusurlarının sebepleri incelenmiş ve farklı sıcaklıklarla yapılan büyütmelerle kristal kusurlarının yoğunluklarındaki değişimler gözlemlenmiştir.