Geniş besleme gerilimi aralıklı yuksek PSR performanslı bant aralığı gerilim referans devresi

Günümüzde birçok hassas voltaj referans devresi yapısını düz kutuplanmış bir PN jonksiyonlu diyot gerilimi üzerine kurar. Bunun sebebi diyot geriliminin sıcaklıkla değişiminin iyi karakterize edilmiş olması ve proses değişimlerinde saçılımının fazla olmamasıdır. Düz kutuplanmış ve sıcaklık kompanzasyonu birinci ve ikinci dereceden sağlanmış olan gerilim devrelerinin genel adı bant-aralığı gerilim devreleridir. Bu ismi alma nedenleri ise sıcaklık kompanzasyonu gerçeklenmiş devrenin çıkış voltajının devrenin gerçeklendiği materyalin bant-aralığı geriliminin kendisi ya da bir katı olmasıdır. Öte yandan günümüz tüm devre pazarında trend teknolojinin de ilerlemesiyle bu devrelerin düşük gerilim ve düşük güç tüketmesidir. Bu gerçek göz önünde tutularak sunulan tez çalışmasi (a) minimum kaynak gerilimi 1 V olan ve (1-5.5) V gibi geniş bir kaynak gerilim aralığında çalışabilen, (b) ( 40-125) °C gibi geniş sıcaklık aralığında kompanzasyonu sağlanmış, ve bu şartlar altında bile kaynaktaki değişimleri iyi reddedebilen 1 V`un altında çıkış veren bir bant-aralığı devresinin tasarımını hedeflemektedir. Devre tarafından tüketilen toplam akım 5 µA ve düşük güç tüketimini garantilemektedir. Devrenin dizaynı için kullanılan teknoloji ise AMS 0.35µ C35B4C3 prosesidir.