DoktoraAçık Erişim

Yoğunluk fonksiyon teorisi ile bazı bileşiklerin elektronik yapılarının ve titreşim özelliklerinin teorik olarak incelenmesi

Bu tez size mi ait?

Bu kayıt toplu arşivden geldi. Sizinse profilinize bağlayın.

2006
0 görüntülenme
0 i̇ndirme

Özet (TR)

Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi ve ab-initio pseudo potansiyel metodu ile NiSi2 veFeSi2 Yerel Yoğunluk Yaklaşımı (YYY), CoSi2 için Genelleştirilmiş EğimYaklaşımı (GEY) kullanılarak kalsiyum florat yapısındaki MSi2(M=Co, Ni veFe) bileşiklerinin yapısal, elektronik ve titreşimsel özellikleri araştırıldı. Bu üçbileşik için hesaplanan örgü sabiti ve hacim modülü değerleri mevcut deneyselve diğer teorik sonuçlarla karşılaştırıldı. Hesaplanan örgü sabitleri ve bantyapısı kullanılarak Yoğunluk Fonksiyonu Pertürbasyon Teorisi üzerine kurululineer tepki yaklaşımında fonon frekansları hesaplandı. CoSi2 için hesaplananfonon frekansları mevcut deneysel değerlerle çok iyi uyum gösterdi. Γ, X ve L'deki bazı fonon modlarında CoSi2 ve NiSi2 için atomik yerdeğiştirmedesenlerinin detaylı bir tartışması yapıldıAnahtar Kelimeler :CoSi2, NiSi2, FeSi2 , Yoğunluk fonksiyon teorisi, Elektronikyapı, Fononlar

Yazar

Fethi Soyalp

Bu Yayına Nasıl Atıf Yapılır

Fethi Soyalp (Doktora Tezi). Yoğunluk fonksiyon teorisi ile bazı bileşiklerin elektronik yapılarının ve titreşim özelliklerinin teorik olarak incelenmesi, 2006, Gazi University.

Anahtar Kelimeler

Lisans

Tüm Hakları Saklıdır

Bu eser belirtilen lisans koşulları altında paylaşılmaktadır.

Gazi University tezlerinden daha fazlası