Au/n-CdTe yapıların elektriksel ve optiksel özellikleri

Bu çalışmada, 10x10x0,5 mm boyutlarında, (111) yönelimli, n-tipi CdTe yarıiletken üzerine buharlaştırma metodu ile Au/n-CdTe yapılar oluşturuldu. Hazırlanan bu yapıların 150-350 K sıcalıklık aralığında akım-voltaj (I-V) karakteristikleri belirlendi. Schottky diyotların engel yüksekliği, idealite faktörleri ve bazı diğer parametreleri farklı ışık frekans aralıklarına sahip ışık filtreleri kullanılarak hesaplandı. Schottky diyotların engel yüksekliği oda sıcaklığında 0,35 eV elde edildi. Engel yükseklikleri ve idealite faktörlerinin ışık frekansı ile değiştiği gözlendi. Oda sıcaklığında I-V karakteristiklerinden hesaplanan engel yüksekliklerinin artan ışık şiddetiyle azaldığı bulundu.