Yerel transistörlere dayalı düşük faz gürültülü gerilim kontrollü lc osilatör tasarımı
Is this your thesis?
This record came from a bulk archive import. If it’s yours, link it to your profile.
Abstract (TR)
En çok tercih edilen LC Gerilim Kontrollü Osilatör topolojilerinden biri tamamlayıcı LC VCO' dur. Bu topoloji, alçak gerilime sahip boşluk payından dolayı akım kontrollü osilatörlerde, osilatör çekirdeğine yeterli akımı sağlamakta zorluk çekmektedir. Bu sorunun üstesinden gelmek için tamamıyla tümleşik bir 7.5 GHz osilatör, besleme devresinde yerel transistörler kullanılarak, TSMC 65 nm teknolojisi ile tasarlanıp, benzetim sonuçları alınmıştır. Ölçülen faz gürültüsü, merkez frekansta 1 Mhz ofseti için -121 dBc / Hz' dir. Osilatör %5.58 ayar aralığına sahiptir. 1.2 V güç kaynağından 1.8 mA akım çekmektedir. Besleme devresinde normal transistorlar kullanılarak yapılan eşleniği VCO 'a göre 2.4 dB daha iyi faz gürültü performansı sağladığı gözlenmiştir.
Author
Mahir Şanlı
Institution
Ankara Yıldırım Beyazıt University
Elektrik Elektronik Mühendisliği Bilim Dalı
How to Cite
Mahir Şanlı (Yüksek Lisans Tezi). Yerel transistörlere dayalı düşük faz gürültülü gerilim kontrollü lc osilatör tasarımı, 2020, Ankara Yıldırım Beyazıt University.
Keywords
License
Tüm Hakları Saklıdır
This work is shared under the specified license terms.
More theses from Ankara Yıldırım Beyazıt University
- Akran zorbalığı ile ergenlerin algıladıkları aile işlevselliğinin incelenmesi(2019)
- Yemen'de e-devlet gelişiminin önündeki engeller(2022)
- Çocuk acile başvuran epilepsi tanılı hastaların özellikleri(2022)
- Twitter gündem ağları: Twitter Türkiye gündemlerinin ağ toplumu kavramı üzerinden incelenmesi(2022)
- Arap Baharının MENA bölgesindeki çatışmalar üzerindeki etkisi: Sayım veri analizinden bulgular(2022)
- Uganda, Kampala'da mevcut tüberküloz önleme ve kontrolünü etkileyen faktörlerin araştırılması(2023)