Yerel transistörlere dayalı düşük faz gürültülü gerilim kontrollü lc osilatör tasarımı

En çok tercih edilen LC Gerilim Kontrollü Osilatör topolojilerinden biri tamamlayıcı LC VCO' dur. Bu topoloji, alçak gerilime sahip boşluk payından dolayı akım kontrollü osilatörlerde, osilatör çekirdeğine yeterli akımı sağlamakta zorluk çekmektedir. Bu sorunun üstesinden gelmek için tamamıyla tümleşik bir 7.5 GHz osilatör, besleme devresinde yerel transistörler kullanılarak, TSMC 65 nm teknolojisi ile tasarlanıp, benzetim sonuçları alınmıştır. Ölçülen faz gürültüsü, merkez frekansta 1 Mhz ofseti için -121 dBc / Hz' dir. Osilatör %5.58 ayar aralığına sahiptir. 1.2 V güç kaynağından 1.8 mA akım çekmektedir. Besleme devresinde normal transistorlar kullanılarak yapılan eşleniği VCO 'a göre 2.4 dB daha iyi faz gürültü performansı sağladığı gözlenmiştir.