MOS yapılarda kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/W-V) karakteristiklerinin frekans ve radyasyona bağlı incelenmesi

Bu çalışmada, n-Si yarıiletken üzerine buharlaştırma yöntemiyle omik ve doğrultucu kontaklar, püskürtme yöntemiyle de metal-yarıiletken arasına yalıtkan SnO2 tabakası oluşturulmuş Au/SnO2/n-Si MOS yapısının temel bazı fiziksel parametrelerinin frekansa ve radyasyona bağlı değişiminin incelenmesi amaçlanmıştır. Au/Sn02/n-Si (MOS) yapının C-V ve G/w-V ölçümleri farklı frekanslar için oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu Ölçümlerden yapının seri direnç, ilave kapasitans, arayüzey durumları gibi bazı temel karakteristikleri frekansa bağlı hesaplandı. Daha sonra yapı Co60 radyasyon kaynağından farklı dozlarda radyasyona tabi tutularak benzer ölçüm ve hesaplamalar tekrarlandı. Yapılan deneysel ölçümler ve hesaplamalar, bu yapıların hemen hemen tüm temel fiziksel parametrelerinin yapıdaki arayüzey durum yoğunluğuna, uygulanan de gerilime, frekansa ve radyasyon dozuna bağlı olarak önemli ölçüde değiştiğini göstermiştir.Anahtar Kelimeler : MOS yapılar, arayüzey durumları, seri direnç, frekans ve radyasyon etkileri