Enhancing photovoltaic performance of WO3-DOPEDİnZnO films by pld technique for perovskite solarcell

Bu çalışmada, darbeli lazer biriktirme tekniği ile ince bir film olarak hazırlanan ve tungsten oksit ile indiyum-çinko oksit IZO'nun birleştirilmesinin, biriktirilen IZO ince filmlerinin özelliklerine etkisi araştırılmıştır. X-ışını kırınımı (XRD), IZO'nun farklı WO3 oranlarıyla oluşturduğunu ve karışık ZnO ve WO3 fazlarının ortaya çıkmasına neden olduğunu göstermektedir. WO3 ile katkı, kafes sabitlerini, kristal boyutunu ve kafes gerilmesini oldukça etkiler. WO3'ün %15'e yükseltilmesiyle kristal boyutu azalırken, ZnO kafesi içine bazı W atomlarının dahil edilmesinden dolayı kafes gerilmesi ve kafes sabitlerinin dalgalanması için zıt davranış ortaya çıktı. Optik absorpsiyon biraz artar ve WO3 içeriği ile enerji bant aralığı azalır (2,8'dan 2,1 eV'a). Hall Etkisi ölçümü, tüm filmlerin n-tipi olduğunu, yük taşıyıcı hareketliliğinin azaldığını ve WO3 içeriği ile iletkenliğin arttığını göstermektedir. ZnO/p-Si, IZO/p-Si ve IZO: WO3/p-Si heteroekleminin farklı WO3 oranlarında katkıları ile I-V özellikleri fotovoltaik davranış göstermiştir. Burada %15 katkı ile verimi en yüksek olan (η=%5,60) numunedir.