Sb2S3 ve SbI3 kristallerin enerji band yapısı ve optik özellikleri: Ab-initio (temel prensip) hesaplamaları

Bu tezde, yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) altında yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) ve ab-initio pseudo-potansiyel yöntem kullanılarak, ( ) ve ( ) -tipi ikili bileşiklerin elektronik bant yapıları, toplam durum yoğunlukları ve optik özellikleri incelendi. Elde edilen elektronik bant yapısı, ve kristallerin dolaylı yasak bant aralığına sahip olduğunu (sırasıyla 0.7278 eV ve 1.7141 eV) ve en küçük doğrudan yasak bant aralığının (sırasıyla 0.8333 eV ve 1.740 eV), Brillouin bölgesinin ve simetri noktasında olduğunu göstermektedir. Her iki kristal için foton-enerjisine bağlı olarak dielektrik fonksiyonları ve soğurma katsayısı, sönüm katsayısı, kırılma indisi, enerji kayıp fonksiyonu ve yansıtıcılık gibi optik özellikler scissor yaklaşımı altında hesaplandı. Ayrıca valans elektronların etkin sayısı ve etkin optik dielektrik sabiti gibi önemli optik parametreler hesaplandı. Kullandığımız metod ile kristallerin özelliklerinin oldukça doğru bir şekilde belirlendiği görüldü.