Ag/GaP Schottky diyotların elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

Bu çalışmada (100) yönelimli, 300?m kalınlığında, S katkılı, LEC (Liquid Encapsulated Czochralsky ) metodu ile hazırlanmış GaP yarıiletkeninden termal buharlaştırma metodu ile yarıiletkenin bir yüzeyine Al buharlaştırılarak omik, diğer yüzeyine Ag buharlaştırarak Ag/GaP diyotu hazırlandı. Bu diyotun oda sıcaklığında on ayrı noktası için I-V ölçümleri yapıldı. Seçilen her hangi bir noktadaki diyota (D6) 298-423 K sıcaklık aralığında I-V ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak I-V, ln(I)-V, dV/d(lnI)-I ve H(I)-I grafikleri çizildi. Bu grafiklerden yararlanılarak termiyonik emisyon teorisi ve Cheung yöntemine göre Schottky diyotun idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç parametreleri hesaplandı. Oda sıcaklığında hesaplanan idealite faktörü değerlerinin 1,73 ile 3,60 aralığında, engel yüksekliklerinin ise 0,50 ile 0,69 eV aralığında değiştiği belirlendi. D6 diyotu için 298-423 K sıcaklıklığı aralığında idealite faktörü değerlerinin 2,26 ile 3,03 engel yüksekliği değerlerinin ise 0,54 ile 0,70 eV aralığında değiştiği hesaplandı. dV/d(lnI)-I ve H(I)-I grafiklerinin eğimlerinden Rs değerleri hesaplandı. Hesaplanan bu değerlerin 23,63 ile 29,40 ? aralığında olduğu görüldü. Hesaplanan bu parametrelerden idealite faktörü ve seri direnç değerlerinin sıcaklık artarken azaldığı ancak engel yüksekliği değerlerinin ise sıcaklık artarken artığı deneysel olarak belirlendi.