Materials and device characterization of Ag: Znse thin films

Bu tezin amacı, ZnSe ince film yapısına gümüş (Ag) kazandırarak ince filmlerin elektriksel özelliklerini geliştirmek ve yapısal, morfolojik ve optik özellikler açısından ince film özelliklerini araştırmaktır. Bu çalışmada cam yüzeylere %2, %5 ve %10 gümüş (Ag) katkı ile ZnSe ince filmler üretildi. Grup IB'de bulunan Ag, II-VI malzemelerdeki dopant katkılama ile elektrik iletkenliğini artırmak için kullanılmıştır. ZnSe ve Ag buharlaşma kaynaklarının termal buharlaşması ile elde edilen film tabakası elde edildi. Bu yöntem basit, düşük maliyetlidir ve II-VI yarı iletken filmler için yaygın olarak kullanılır. Ayrıca filmlerin yapısal, yüzey morfolojisi, pürüzlülüğü ile optik emilimi ve enerji boşluğu özellikleri araştırılmıştır. Son olarak, filmlerin cihaz özellikleri Al arka kontak ve In ön kontak ile Si alt taş üzerinden incelenmiştir Sonuçlar, Ag katkısının ZnSe ince filmlerinin elektriksel ve cihaz özelliklerinde iyileşme göstermiştir. Ag:ZnSe/ Si/ Al heteroeklem yapısı fotodiyot davranış göstermiştir.