Al/TiO2/p-Si schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri

Bu çalışmada, Al/TiO2/p-Si Schottky diyotunun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında araştırıldı. Diyotun düz ve ters beslem akım-voltaj (I-V) karakteristikleri Termiyonik Emisyon (TE) teorisi kullanılarak incelendi. İdealite faktörü (n), seri direnç (Rs), sıfır beslem engel yüksekliği (?Bo) ve ara yüzey durum yoğunluğu (Nss) değerleri gibi Al/TiO2/p-Si Schottky diyotunun temel elektriksel parametreleri bulundu. Aynı zamanda n, ?Bo, Rs değerleri Cheung metodu kullanılarak da hesaplandı. Hem TE teoreminden hem de Cheung metodundan elde edilen elektriksel parametrelerin birbiri ile yakın uyum sergilediği gözlemlendi. Nss enerji yoğunluğu dağılım profilleri diyotların idealite faktörü (nV) ve etkin bariyer yüksekliğinin (?e) voltaja bağlılığı göz önünde bulundurularak düz beslem I-V karakteristiklerinden elde edildi. Diyotun kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri farklı frekanslarda incelendi (50-500 kHz). Ayrıca Nss değerleri Hill-Coleman metodu kullanılarak hesaplandı. Sonuç olarak, Rs ve Nss değerlerinin elektriksel parametreleri önemli ölçüde etkilediğini gözlemlendi.