AlxGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının kimyasal aşındırma yöntemi ile incelenmesi
Bu tez size mi ait?
Bu kayıt toplu arşivden geldi. Sizinse profilinize bağlayın.
Özet (TR)
Bu tez çalışmasında tek kristaller ve MBE tekniği ile büyütülen AlxGa1- xAs/GaAs nanoyapılarının ıslak kimyasal aşındırma yöntemi kullanılarak ortaya çıkan yüzey morfolojisi ve numunenin kalitesi incelendi. Numune kalınlığındaki değişimi profilometre ile yüzeyindeki pürüzlülüğü Spektroskopik Elipsometre ile ve yüzeydeki kusurların görüntülerini optik miroskop ile analiz edildi. Bizim burada ıslak kimyasal aşındırma yönteminde kullandığımız aşındırıcı solüsyon sitrik asit/hidrojen peroksit (C6H8O7/H2O2)'dir. Literatürde hem sitrik asit/hidrojen peroksit hemde farklı solüsyonlarla yapılan aşındırmalar, bizim yaptığımız çalışmalarla karşılaştırıldı. Bir materyali diğerinden daha hızlı ortadan kaldıran, seçici aşınım yapan aşındırıcı solüsyon değeri belirlendi. Anahtar Kelimeler : AlGaAs, GaAs, Aşındırma, MBE, Profilometre
Yazar
Yusuf Alper Ulu
Bu Yayına Nasıl Atıf Yapılır
Yusuf Alper Ulu (Yüksek Lisans Tezi). AlxGa1-xAs/GaAs nanoyapılarının kimyasal aşındırma yöntemi ile incelenmesi, 2007, Gazi University.
Anahtar Kelimeler
Lisans
Tüm Hakları Saklıdır
Bu eser belirtilen lisans koşulları altında paylaşılmaktadır.
Gazi University tezlerinden daha fazlası
- Türkiye petrol ve gaz sondaj sahası iş kazaları analiz ve modellemesi(2021)
- XVI. yüzyıl Anadolu'sunda Oğuzların Karkın Boyu(2004)
- Experimental development of the interfacial bond-slip model between textile reinforced mortar strips and masonry walls(2025)
- Gerçek hayattaki geometri örneklerinin sosyal bir öğrenme ortamı aracılığıyla paylaşımı: Bir durum çalışması(2021)
- İki farklı irrigasyon aktifleştirme tekniğinin farklı kök seviyelerinde hazırlanmış yapay internal rezorpsiyon kavitelerinden kalsiyum hidroksit uzaklaştırma etkinliğinin değerlendirilmesi(2021)
- Sürdürülebilirlik ve iktidar bağlamında sözel belleğin Türk müzelerinde kullanımı(2010)