Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapıların kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristiklerinin incelenmesi

Bu çalışmada, n tipi silisyum (Si) alttaş üzerine radyo frekans (RF) püskürtme metoduyla hazırlanmış Si3N4 yalıtkan tabakalı Au/Si3N4/n-Si (MIS) yapının kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ ? -V) karakteristikleri incelendi. C-V ve G/ ? -V ölçümleri, HP 4192A LF Empedans Analizörü kullanılarak ve seri direnç (Rs) ve arayüzey durum (Nss) etkisi dikkate alınarak, sırasıyla 1 kHz-1 MHz frekans ve 80-400 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Rs hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile azalmaktadır. Ayrıca, ölçülen kapasitans ve iletkenlik değerleri MIS yapının gerçek kapasitans ve iletkenliğini bulmak için, seri direnç etkisinden dolayı düzeltilmiştir. Nss'nin varlığı, C-V ve G/ ? -V eğrilerinin ideal durumdan sapmasına yol açar. Arayüzey durumları özellikle düşük frekanslarda ac sinyalini kolayca takip edebilir ve böylece kapasitansa katkıda bulunurlar.